闪存芯片上的闪存颗粒质优与否，关系到闪存芯片的读取速度、容量、寿命以及价格等结果。闪存颗粒是存储原料，闪存颗粒可以说是闪存芯片的核心。存储芯片所使用的闪存颗粒类型、等级、品牌均影响着产品的性能、特性、品质，以下我们从闪存颗粒类型了解闪存芯片的核心—数据“仓库”。
闪存颗粒类型
采用闪存颗粒来进行存储是闪存芯片的主要特点，可以说闪存颗粒就像仓库，用来存放大量数据。根据密度差异闪存颗粒会主要分为SLC、MLC、TLC、QLC、PLC（未面世）五种类型：
SLC（全称：Single-Level Cell）
又称为单层式储存 ，即每单元存储1bit信息（1bit/cell）。一个萝卜一个坑的存储容量，这也意味着采用SLC颗粒的闪存芯片容量注定不会太大，但除了这个“缺憾”之外，SLC的其他方面则要更加优于其他类型的闪存颗粒。
SLC的擦写寿命是5种颗粒中最长的，能够达到约10万次。另外SLC也是五种颗粒类型中读写速度最快、读写数据最精确、质量最好同时造价也是最贵的颗粒。
MLC（全称：Multi-Level Cell）
又称为双层式储存 ，即每单元存储2bit信息（2bit/cell）。存储容量比SLC大，成本相对于SLC大大降低。
但MLC的擦写寿命要比SLC差不少，仅能够达到约1万次。且相较于SLC，MLC的读写速度、质量、精确度次于SLC，成本相对高于除SLC以外的其他颗粒，目前多用于工业存储中。
TLC（全称：Trinary-Level Cell）
又称为三层式储存 ，即每单元存储3bit信息（3bit/cell）。到此可以看出这五种闪存颗粒每单元可存储的信息是层层递进的，都是在上一个的基础上+1bit信息，容量越来越大。
TLC是目前最常见到的闪存颗粒，应用非常广泛，其擦写寿命能够达到约1000次。虽然在数据上，TLC的读写速度、颗粒质量以及寿命都不及SLC和MLC，但其成本低得多，如果作为日常使用其实能完全满足普通消费者的需求。目前TLC多用于市面上的固态硬盘中。
QLC（全称：Quad-Level Cell）
又称为四层式储存 ，即每单元存储4bit信息（4bit/cell）。其擦写寿命相对较短，仅能够达到150次，但存储密度最大、成本也最低，优势还是很明显的。目前主要应用于大容量的固态硬盘。
PLC（全称：Penta-level cell）
又称为五层式储存，即每单元存储5bit信息（5bit/cell）。该闪存颗粒目前还没有正式产品发布，但有希望在未来的几年内问世，相信能够为SSD产品带来更大的存储空间和单元存储更低的成本。不过PLC的推广将很大受限于它的速度和寿命，还需进一步了解。
根据上述内容可将闪存颗粒按照数据稳定性、速度以及价格排序为SLC＞MLC＞TLC＞QLC＞PLC，容量则相反SLC＜MLC＜TLC＜QLC＜PLC。固态硬盘品牌多数使用的是TLC闪存颗粒，虽然速度和寿命上不及使用SLC和MLC颗粒的固态硬盘，但搭配上优秀的主控以及高速接口，运用了3D NAND技术的3D TLC颗粒实现了性能跃进。返回搜狐，查看更多